据报道，7月30日，香港科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司签署合作协议，将于香港科学园内设立全香港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心，并于创新园开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线，预计将在香港投资至少2亿港元。此次在港设立的研发中心，将聚焦开发8寸氮化镓外延片工艺及设备平台，用于制作氮化镓光电子和功率器件。设立投产后，会进行氮化镓外延片的小批量生产。
当天的活动上，香港特区政府创新科技及工业局局长孙东、副局长张曼莉、引进重点企业办公室副总裁(先进制造及新能源科技)王国藩等见证合作协议签署仪式。孙东在致辞中指出，特区政府以产业导向为原则，积极地推进微电子产业高质量发展。香港微电子研发院将于今年内成立，并设立碳化硅和氮化镓两条中试线，协助公司进行试产、测试和认证，促进产、学、研合作。这次麻省光子技术落户香港确切回应了发展的策略，特区政府会继续引入更多优秀的科技公司来港发展和投资，发挥协同效应。
作为首家进驻香港的氮化镓外延技术公司，麻省光子技术为何选择香港?“我们大家都希望在技术密集、人才密集以及资本密集的环境来求发展，香港非常好地满足了这三个要素。”该公司行政总裁廖翊韬接受记者正常采访时形容，香港拥有“世界顶尖的新技术孵化的环境”，对于专利技术的保护以及专利产权的税务优惠，可以说在整个世界是独一无二的。
此外，是香港的国际化特点和人才储备。廖翊韬说，不管最后生产的是什么类型的产品，始终要面向全球化市场。而香港在这方面拥有无法替代的优势，因此无论是研发、产品研究开发和行销等领域，公司都会关切香港的人才。
麻省光子技术目前在内地设有工厂。廖翊韬说，来香港投放的中试线希望能在现有量产水平基础上逐步提升研发和中试能力，特别是结合香港微电子专家现有的技术进行联合研发，确保在全球市场的竞争力和技术领先性。
麻省光子技术将联合香港微电子专家开发下游的氮化镓光电子和功率半导体器件。通过新产品的中试研发和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化镓外延技术和产品专利包，目标是三年内完成中试并启动在香港的氨化镓外延量产产线寸氨化镓晶圆产能，将香港制造的外延片产品推向全球市场。孙东表示，香港要因地制宜发展新质生产力，须发挥好香港的国际化优势和雄厚的科研实力，支持优势科技产业在港发展，而第三代半导体就是香港近年来重点发展的科技领域。氮化镓外延工艺是发展第三代半导体的关键技术，能够优化产品性能，提升稳定性，为行业带来革命性突破。香港科技园公司行政总裁黄克强也表示，此次合作将成为香港微电子产业及新型工业化发展的重要里程碑，带动整个第三代半导体产业链布局，香港微电子创科生态会更为蓬勃。
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