为一起推动香港微电子工业高质量开展，香港科技园公司与麻省光子技能(香港)有限公司于7月30日举行了香港首条超高真空“第三代半导体氮化镓外延片中试线”发动礼。
此次麻省光子技能将入驻新建的微电子中心（MEC），建造香港首条8英寸氮化镓外延片中试线。
据我国新闻网等多家新闻媒体报道，麻省光子技能方案在港出资至少2亿港元，于香港科学园树立全港首个第三代半导体氮化镓（GaN）外延工艺全球研制中心，开发8寸先进GaN外延片工艺及设备渠道，用于制造氮化镓光电子和功率器材。
此外，麻省光子技能还将在立异园树立全港首条超高真空量产型GaN外延片中试线，进行小批量出产；估计完结中试并发动香港的GaN外延量产产线个微电子相关的工作职位，包含外延片及设备设计、出产流程开展等，发明本质经济价值。
氮化镓(GaN)是第三代半导体的首要代表资料之一，具有宽禁带、高频率、低损耗、抗辐射强以及杰出的击穿电场等特性，可在高温文高电压下进行长期运作，被大范围的应用于LED、激光器、太阳能电池、无线通讯、快充、工业和轿车等范畴。
当时，全球半导体工业开展迅速，带动氮化镓商场规模同步提高。据商场研究机构TrendForce集邦咨询此前猜测，全球GaN功率元件商场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。
近年来，香港将第三代半导体作为要点开展的科技范畴。2024年5月，香港立法会财政委员会同意一项严重出资，即28.3亿港元，用于树立“香港微电子研制中心”，专心于第三代半导体。这项方案包含树立一条实验出产线，装备I线光刻设备、光刻胶显影东西、高温离子注入机、高温退火炉和薄膜东西等必要东西。
据香港特区政府立异科技及工业局局长孙东介绍，特区政府正积极地推动微电子工业高质量开展。香港微电子研制院将于年内建立，并树立碳化硅和氮化镓两条中试线，帮忙草创、中小企业进行试产、测验和认证，促进产、学、研在第三代半导体中心技能上的协作。回来搜狐，检查更加多