中芯集成-U请求半导体结构及其制作办法专利简化工艺流程并削减相关本钱
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中芯集成-U请求半导体结构及其制作办法专利简化工艺流程并削减相关本钱

2024-10-19 3C-SMT行业
  • 产品概述

  (原标题:中芯集成-U请求半导体结构及其制作办法专利,简化工艺流程并降低本钱)

  金融界2023年12月7日音讯,据国家知识产权局公告,绍兴中芯集成电路制作股份有限公司请求一项名为“一种半导体结构及其制作办法“,公开号CN117174714A,请求日期为2023年10月。

  专利摘要显现,本发明供给一种半导体结构及其制作办法,制作办法经过将构成p阱的进程移至构成榜首栅极和第二栅极之后,使得构成榜首栅极和第二栅极中的热进程没有对p阱构成影响,使得工艺安稳可控;与现存技能比较,本发明无需构成对位符号,省掉了零刻蚀工艺进程,省去了零刻蚀工艺所需掩膜版;还经过一起构成榜首栅极和第二栅极,使得构成榜首栅极和第二栅极时无需掩膜版,然后使得本发明省去两张掩膜版,简化了工艺流程并降低了本钱。

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