金融界2025年1月31日音讯，国家知识产权局信息数据显现，安华高科技股份有限公司请求一项名为“具有静电放电维护的半导体设备”的专利，揭露号CN 119384012 A，请求日期为2024年6月。
专利摘要显现，本揭露触及一种具有静电放电维护的半导体设备。一种可在静电放电维护方面供给优势的半导体设备，例如鳍式场效应晶体管FinFET。所述半导体设备包括具有无掺杂区域第掺杂区域第二掺杂区域及定位在所述榜首掺杂区域与所述第二掺杂区域之间的第三掺杂区域的鳍。所述半导体设备进一步包括安顿在所述鳍的所述无掺杂区域上的栅极、安顿在所述第三掺杂区域上的硅化物层，及安顿在所述硅化物层上以构成漏极的互连件。
