中国科学院近期成功研制了一项突破性的固态DUV（深紫外）激光技能，这种技能能够发射193nm的相干光，与现在干流的DUV曝光波长共同。这一技能的成功，为推进半导体工艺的开展至3nm节点奠定了根底。
现在，全球抢先的光刻机制作商如ASML、佳能、尼康等，都选用了氟化氙（ArF）准分子激光技能，经过氩气和氟气混合物在高压电场下生成不稳定分子，释放出193nm波长的光子。这些光子以高能量短脉冲的方式发射，输出功率到达100-120W，频率为8k-9kHz，并经过光学体系调整后用于光刻设备。
与现有技能不同，中科院的固态DUV激光体系选用全固态规划，根据克己的Yb:YAG晶体扩大器生成1030nm激光。然后，激光经过两条光学途径进行波长转化。其间，一条途径选用四次谐波转化（FHG）将1030nm激光转为258nm，输出功率为1.2W；另一条途径则经过光学参数扩大（OPA）将其转为1553nm，输出功率为700mW。
接下来，经过转化后的两路激光经过串级硼酸锂（LBO）晶体混合，终究发生193nm波长的激光光束。该技能终究能轻松的取得平均功率为70mW，频率为6kHz，且其线MHz，半峰全宽（FWHM）小于0.11皮米，光谱纯度与现有商用准分子激光体系适当，因而具有潜力用于3nm工艺节点的制作。
这种全固态DUV光源技能的长处是，能够大幅度削减光刻体系的复杂度和体积，下降对稀有气体的依靠，并大幅度下降能耗。有关技能细节现已在世界光电工程学会（SPIE）官网上揭露，标志着这一技能的初次露脸。
虽然该技能在光谱纯度上现已挨近现有商用准分子激光体系，但在输出功率和频率上仍存在距离。与ASML的技能比较，中科院的固态DUV激光输出功率只要0.7%的水平，频率也只要约2/3，因而仍需要继续迭代和提高，以完成更广泛的使用。