近年来，世界半导体行业经历着巨大的变革，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，慢慢的变成为各大科技公司的研究和投资热点。其应用前景不仅影响着电力电子的未来，更改变着无数高科技产业的格局。河南中宜创芯发展有限公司、三安光电股份有限公司等企业也在这样的领域展开激烈角逐，其中，董事长孙毅的主题报告为我们深入探讨碳化硅半导体粉体的最新进展提供了重要视角。
在近期举办的“2025功率半导体制造及供应链高峰论坛”上，孙毅表示，碳化硅材料产业正在迎来“百团大战”的局面，竞争之激烈可想而知。然而，尽管发展的前景非凡，但行业仍然面临着许多挑战，比如碳化硅衬底生长速度慢，加工难度大、缺陷密度去除工艺壁垒高等问题。
碳化硅具有高折射率、高热导率等一系列优良属性，使其在高频、高温、高压的环境下依然能够保持良好的性能，成为功率半导体的理想材料。更为关键的是，在全世界内，碳化硅半导体的应用正在慢慢地扩展到5G通信、新能源汽车、风能和光伏等各个领域。
目前，碳化硅产能的全球布局逐步完成，尤其是中国在碳化硅衬底产能上也实现了迅速增加。孙毅提到，预计到2026年，中国的6英寸碳化硅衬底产能将占全球的50%，这一数据令人振奋，同时也暴露出我国在产业链中上游环节的单薄。
在技术层面，河南中宜创芯奋力追赶，采用改进的自蔓延高温合成法（SHS）制备碳化硅粉体，创新性地利用高温真空合成炉，确保了生产原料的高纯度达到6N以上。该技术不仅保证了产品的高质量，还有效提升了生产效率，标志着我国在碳化硅技术领域的自主创造新兴事物的能力有了长足进展。
通过不断的技术创新与升级，河南中宜创芯率先将年产量提升至2000吨，其中一期500吨的生线建设在短短几个月内顺利实现试生产，这一速度在行业内实属罕见。由此能够看到，企业的快速反应与适应市场变化的能力，必然的联系到企业在竞争中的优势。
随着国际间对碳化硅材料需求的不断的提高，我国的半导体行业正在逐渐迎来巨大的市场机遇。然而，我们不得已承认，碳化硅产业在全球的竞争中，特别在上游原材料以及技术方面，仍存在着一定的差距。市场的价值量倒挂现象也在某些特定的程度上造成了我们的市场渗透率低。
因此，孙毅在论坛中强调，要建立合理的竞争环境，形成产业的良性生态，并加强行业内的合作。只有如此，国内的碳化硅产业才能真正的完成长期、稳定的可持续发展。
在报告的末尾，孙毅董事长展望了碳化硅半导体的未来发展。他认为，未来这一领域的竞争将不仅仅体现在技术和产品上，更在于如何建立起相互合作、一起发展的产业联盟。只有通过合作共享，才能打破技术壁垒，从而提升整个行业的创新能力和市场竞争力。
碳化硅材料在AR眼镜等新兴消费电子科技类产品中的应用前景同样不容忽视，随技术的不断成熟，其在未来消费市场上的潜在价值不容小觑。
在这一波技术浪潮中，我们不仅要学会应对挑战，还要善于把握机会，唯有如此，才能在未来的发展中立于不败之地。因此，期待碳化硅半导体行业的各方力量，能够携手共进，推动科学技术创新，结出丰硕的成果。返回搜狐，查看更加多
