金融界2024年11月6日音讯，国家知识产权局信息数据显现，联华电子股份有限公司请求一项名为“半导体结构和其构成办法”的专利，公开号CN 118900619 A，请求日期为2023年5月。
专利摘要显现，本发明供给一种半导体结构和其构成办法，其间该半导体结构包含多个MTJ(Magnetic tunnel junctions，磁性隧穿结) 元件，从一俯视图来看，多个MTJ元件摆放成一阵列，至少一第二触摸结构，坐落MTJ元件所排成的阵列之中，至少一榜首掩模层，覆盖于各MTJ元件的一顶面与两侧壁，其间从一剖面图来看，榜首掩模层的一断面侧壁与第二触摸结构下方的一第二金属层的一侧壁切齐。
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