【控诉】高通前副总裁等四人被控欺诈 涉案金额达1.5亿；传芯公开用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机专利

  3、传芯半导体公开用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机专利

  【嘉勤点评】北方华创的半导体互锁条件检测专利，通过将动作器件的多个互锁条件划分为多个类别，根据类别存储互锁条件的错误信息时，可以缩小故障排查范围，快速确定故障点，能大大的提升故障排查效率。

  北方华创2021年营收激增，其专利产出已累计申请5000余件，其基本的产品为电子工艺装备和电子元器件。

  在半导体工艺设备的控制中，通常会为动作器件设置多个互锁条件。半导体工艺设备中的下位机在控制动作器件动作之前，首先检测各项互锁条件是不是满足，若不满足，则触发互锁，禁止动作器件动作，而且会记录互锁条件不满足的错误信息。在后续的故障排查阶段，用户都能够根据记录，查找故障点。由于半导体工艺设备涉及的工艺较为复杂，因此会存在较多种类和数量的互锁条件，无法快速的确定故障点。

  为此，北方华创于2022年3月16日申请了一项名为“互锁条件检测的新方法与半导体工艺设备”的发明专利（申请号: 1.7），申请人为西安北方华创微电子装备有限公司。

  图1为互锁条件检测的新方法步骤流程图， 该方法应用于半导体工艺设备，最重要的包含以下步骤：首先响应于半导体工艺设备的动作器件的启动信号，获取动作器件的多个互锁列表（101）。其中，每个互锁列表分别包括一个类别的互锁条件，以及互锁条件的目标条件值。互锁条件检测的新方法由半导体工艺设备中的下位机实施，半导体工艺设备中包括工艺腔室，对放入工艺腔室内的晶圆进行工艺处理。动作器件为在下位机的控制下可以动作的器件，动作时，会改变通入工艺腔室内的工艺气体的气体类型，以及工艺腔室内的各项工艺参数，不同工艺气体的混合可能会产生危险气体，威胁设备安全，而且工艺参数的改变可能会损坏工艺腔室内的晶圆，因此必须为动作器件设置多个互锁条件，使动作器件在安全状态下动作。启动信号是下位机在按预定的工艺流程控制半导体工艺设备正常运行时，在达到预设条件时，自动生成的启动信号，也可以是接收到的外部设备输入的启动信号。

  然后在互锁条件的目标条件值与获取到的实际条件值不匹配的情况下，按互锁条件所属的类别，存储互锁条件的错误信息（102）。在获取到动作器件的互锁列表之后，下位机从互锁列表中获取互锁条件，以及互锁条件的目标条件值。同时获取互锁条件的实际条件值，比较确定实际条件值与目标条件值是否匹配，不匹配时，生成互锁条件的错误信息，并按互锁条件的类别存储错误信息。

  图2为互锁条件检测的新方法执行示意图，以阀门A为例，下位机中预先为阀门A配置第一存储区域、第二存储区域和第三存储区域，存储区域与互锁列表一一对应。在获取到阀门的启动信号之后，下位机获取阀门A的三个互锁列表，然后同时启动三个检测子程序，三个检测子程序并行运行，每个检测子程序分别对一个互锁列表中的互锁条件进行检测。

  简而言之，北方华创的半导体互锁条件检测专利，通过将动作器件的多个互锁条件划分为多个类别，根据类别存储互锁条件的错误信息时，可以缩小故障排查范围，快速确定故障点，能大大的提升故障排查效率。

  北方华创是国内集成电路高端工艺装备的先进企业，致力于成为半导体基础产品领域让人信服的引领者，未来的北方华创，将以半导体基础产品领域先进企业的姿态登上世界舞台，深耕发展，引领未来。

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  据洛杉矶时报报道，美国圣地亚哥联邦法院公布起诉书，高通一名前副总裁以及另外三人涉嫌欺诈，涉案金额达1.5亿美元。

  起诉书中声称，高通前研发副总裁Karim Arabi在高通工作期间将本归属于该公司的专利挪为己用，并与其他三人策划掩盖这一事实。他们将这项发明描述为一名加拿大研究生的创意，并通过旧金山湾区的一家初创公司实现商业化。

  报道称，2015年10月高通收购了这家成立仅八个月的初创公司，但Arabi隐瞒了这一些信息。此前，Arabi曾在高通断断续续工作了9年后，于2016年6月离开了该公司。

  另外，那位加拿大研究生恰好是Arabi的妹妹。根据起诉书，她研究的课题与喷墨打印有关，而不是半导体设计。在“合法”更改名字后，尽管她被列为临时专利的发明人，但根据检察官的说法，Arabi使用虚假的电子邮件帐户提交了申请以掩盖身份。

  3、传芯半导体公开用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机专利

  国家知识产权局网站日前公开了上海传芯半导体有限公司“曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机”发明专利申请。

  根据专利说明书，该发明提供一种用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括第一反射式光掩模版和第二反射式光掩模版，曝光光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射的光线同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案，以通过组合投影图案在晶圆上实现一次性曝光。

  说明书介绍，这一专利曝光成像结构由于第一反射式掩模图形与第二反射式掩模图形被物理分离，可以使得相邻掩模图形边缘没有光相互作用（如散射、反射或表面等离子体激元效应SPP等），可以有效消除临近图形所造成的晶圆上的图案缺陷，光刻工艺的分辨率和对比度得到较大的提升，晶圆上的图案缺陷（如圆角、关键尺寸（CD）减少和端部内缩等）得到非常明显改善，同时采用一次性曝光便可在晶圆上获得完整的图案，光刻工艺的过程也得到简化。

  针对EUV光源，说明书里面给出的实施例显示，所述光源结构包括等离子体光源，由气体或蒸气产生，例如氙气、锂蒸气或锡蒸气，通过30千瓦功率的二氧化碳激光器每秒2次轰击雾化的锡（Sn）金属液滴（其中，锡金属液滴以每秒50000滴的速度从喷嘴内喷出），将锡（Sn）蒸发成等离子体，通过高价锡离子能级间的跃迁获得13.5nm波长的EUV光线。