金融界2024年11月1日音讯,国家知识产权局信息数据显现,华邦电子股份有限公司请求一项名为“半导体结构及其制作办法”的专利,公开号 CN 118843308 A,请求日期为2023年5月。
专利摘要显现,本发明供给一种半导体结构及其制作办法,该制作办法包含对基板履行榜首刻蚀制作工艺以构成榜首沟槽,以及适应性地构成适应层于榜首沟槽的外表。办法还包含沿着榜首沟槽对基板履行第二刻蚀制作工艺,以构成第二沟槽于榜首沟槽下方,其间在第二刻蚀制作工艺中,适应层比基板具有更高的刻蚀抗性,使得第二沟槽的顶部宽度大于榜首沟槽的底部宽度,本发明经过将构成自动区的刻蚀制作工艺分为两次的刻蚀制作工艺,并调配适应层的构成,可以保持自动区所需的线宽巨细,改进存储器设备的良率以及功能。
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