2025年1月15日，北京芯力技术创新中心有限公司（以下简称“北京芯力”）成功获得一项重要专利——“堆叠晶圆深硅通孔形成方法及半导体器件”，其授权公告号为CN118645470B。这一专利的获批标志着该公司在半导体制造领域的一项突破性进展，也为其未来发展打下了坚实基础。
北京芯力成立于2023年，总部在中国首都北京，注册资本63100万人民币。在短时间内，该公司已参与421个招投标项目，并累计拥有18项专利和59个行政许可，显示出其在行业内逐渐崭露头角的潜力。此项专利的申请日期为2024年7月，体现了北京芯力在深硅通孔技术及其应用方面的前瞻性。
深硅通孔技术（Through-Silicon Via, TSV）是一种在半导体器件中实现垂直连接的关键技术。传统的半导体器件制程一般会用平面互连方式，随着集成电路技术的发展，对纵深互连的需求日益增加。堆叠晶圆技术结合深硅通孔结构，能够明显提升器件的空间利用率和电气性能，进而推动小型化、高效能处理器的发展。
此次专利的核心在于创新的深硅通孔形成方法，该方法将逐步提升半导体器件的性能和可靠性。这种技术不仅适用于逻辑芯片，也可用于存储芯片的制造，大范围的应用于高端电子科技类产品，如智能手机、计算机以及物联网设备。
该专利涉及的技术特点突出，首先，深硅通孔的制造工艺旨在提高互连的密度和可靠性，减少传统制作的完整过程中也许会出现的信号延迟和功耗问题。其次，由于该方法的创新性，能实现更为精细的孔径控制，确保半导体器件在高温和高压环境下仍能运作稳定。
半导体行业正面对着日益严峻的国际竞争和技术挑战，尤其在先进封装技术方面。北京芯力的这一创新专利，将在很大程度上提升我国在全球半导体产业链中的话语权，并为技术自主可控打下基础。该公司未来将在更多高端市场中发挥关键作用，助力中国半导体产业的自主创新。
展望未来，随着5G、人工智能（AI）和物联网（IoT）的进一步推广，深硅通孔有关技术的应用将更广泛，未来可能会带来更多新产品和服务。北京芯力如能逐步加强研发技术与市场推广，将有机会在半导体行业得到更大的发展。
在当前激烈的市场之间的竞争中，企业如能不断提升自身的创新能力，将会获得慢慢的变多的市场机会。这一专利不仅增强了北京芯力的市场竞争力，也为国内半导体产业注入了新的活力。未来，随技术的不断成熟和应用场景的拓展，深硅通孔技术有望在更多领域崭露头角，为行业发展贡献更多的智慧和动力。
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