该公司正在与韩国出产商S&S Tech协作，完结ArF空白掩模的本乡化。

  3.除此之外，三星还在尽力将其他高度依靠日本的材料本地化，如EUV薄膜和高带宽存储器(HBM)的要害材料非导电膜(NCF)。

  4.三星电子将从ASML引入首台High-NA EUV光刻机EXE:5000，估计2025年头到货，正式参加与英特尔和台积电鄙人一代光刻技能商业化研制方面的竞赛。

  5.一起，三星电子与蔡司集团深化鄙人一代极紫外光刻技能和芯片技能范畴的协作，以进步先进芯片的产值。

  三星电子正在推进要害半导体材料的本乡化，此举引起广泛重视，由于该公司企图削减对日本进口的严峻依靠。在美国、日本、中国大陆和中国台湾的全球半导体主导地位竞赛日益剧烈的布景下，这一战略改变被视为应对韩日联系潜在严峻的自动办法。

  据业内人士泄漏，三星电子半导体部分正在加速尽力用韩国本乡替代品替代“ArF（氟化氩）空白掩模”。这些掩模在半导体光刻工艺中至关重要，占整个阶段的40%以上。现在，三星对这些掩模的收购严峻依靠日本的Hoya。但是，三星现在正与韩国出产商S&S Tech密切协作，以完结本乡化。一位业内人士泄漏，“三星一向在接纳少数国产ArF空白掩膜，但最近已开端评价在特定工艺中全面选用。”

  除了ArF空白掩膜，三星还在加大力度将其他高度依靠日本的材料本地化。关于现在由日本三井化学主导的EUV薄膜，三星正在与韩国FST协作完结本地化。此外，关于高带宽存储器（HBM）的要害材料非导电膜（NCF），三星正在与LG Chem协作。现在，NCF材料100%由日本Resonac供应给三星。

  三星材料供应链的多样化首要是为了应对人工智能（AI）革新引发的半导体需求激增。这种需求需求多样化现在由一两家公司独占的工艺材料。该战略还考虑到与美国和日本以及中国大陆和中国台湾之间日益剧烈的半导体主导地位竞赛。

  日本则在培养Rapidus等新芯片制作公司，以增强国内半导体工业。假如日本再次对半导体材料施行类似于2019年的出口约束，韩国国内半导体出产线可能会面对严峻中止。一位资深职业官员评论说：“在最近国内外政治局势改变的情况下，韩美、韩日、韩中联系的波动性比以往任何一个时间里都高，三星从多个视点加强危险办理的尽力含义严重。”

  据悉，三星电子将从ASML引入首台High-NA EUV光刻机EXE:5000，估计2025年头到货。这在某种程度上预示着三星将正式参加与英特尔和台积电鄙人一代光刻技能商业化研制方面的竞赛。

  ASML的High-NA EUV光刻机EXE:5000是一款先进的极紫外光刻设备，具有高数值孔径(NA)和8nm的分辨率，相较于之前的NXE系列光刻机，其分辨率明显进步。这款光刻机选用了0.55 NA的透镜，可以在必定程度上完结更精密的图画化，然后支撑更小的物理特征尺度。

  依据此前有关的材料，EXE:5000的规划使其可以每小时处理超越185片晶圆，比较NXE系列的产能有所进步。但是，现在的出产速度仅为每小时150片晶圆，估计到2026年左右将进步到每小时约200片晶圆。

  EXE:5000光刻机估计将在2025年进入大规模出产阶段。现在，该设备现已向英特尔交付了第一批模块，而且正在装置和测验中。

  与此一起，三星电子正在与蔡司集团深化鄙人一代极紫外光刻技能和芯片技能范畴的协作。

  三星电子履行董事长李在镕在拜访坐落奥伯科亨的全球光学和光电子技能集团总部时，与蔡司公司总裁兼首席履行官Karl Lamprecht及其他高管进行了接见会面。

  双方同意扩展在EUV技能和顶级半导体设备研制方面的协作，以逐步增强在代工和存储芯片范畴的事务竞赛力。作为全世界顶尖的动态随机存取存储器（DRAM）芯片出产商，三星电子与蔡司集团在EUV技能方面具有广泛的协作根底。

  经过与蔡司集团深化协作，三星电子期望改善其下一代半导体技能，优化芯片制作工艺，并进步先进芯片的产值。经过这次协作，三星期望进步下一代半导体技能，优化芯片制作流程，进步先进芯片的出产良率。

  蔡司还计划到2026年出资480亿韩元在韩国建造研制中心，加强同三星等韩企的战略协作，以树立其首个海外研讨工作站，专心于解决方案研制。

  三星电子的方针是推进3纳米以下的微制作工艺技能的开展，此外，该公司还计划在东北亚区域树立首个先进逻辑和存储芯片流程操控解决方案研制中心，以满意该区域对光学解决方案一向增加的需求。

  蔡司集团是全球抢先的极紫外（EUV）光系统供货商ASML Holding NV的仅有光学系统供货商，关于全球芯片工业，特别是代工芯片制作商如台积电和三星电子等具有极端严重影响力。