近两年手机快充和新能源轿车超充的运用和遍及大大改变了人们运用电子设备的习气和出行的方法，防止电量焦虑而且绿色出行，第三代半导体对此起到了决定性的效果，它被认为是半导体范畴的新赛道，国家“十四五”规划和2035年远大目标大纲准确指出“支撑碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体开展”。
化合物半导体包含了第二代和第三代半导体，它是由两种及以上元素构成的半导体资料，现在最常用的资料有GaAs、GaN以及SiC等，因其在高功率、高频率等方面特有的优势，在信息通讯、光电运用以及新能源轿车等工业中有着无法代替的位置。
在通讯范畴，2G、3G 和 4G 等年代 PA 首要资料是第二代半导体资料GaAs，可是进入 5G年代今后，首要资料是GaN。因为5G 的频率较高，毫米波关于功率的要求十分高，而GaN 具有体积小功率大的特性，是现在最适合5G年代的PA资料。SiC和GaN等第三代半导体将更能习惯未来的运用需求。
TEM作为分辨率最高的电子显微镜，在惯例硅基半导体芯片的失效剖析等运用中起到至关重要的效果，那么在化合物半导体和显现范畴中有哪些运用？
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本陈述侧重介绍TEM的根底原理，并结合实际事例展现透射电子显微镜怎么在化合物半导体（SiC/GaN/InGaAs）及显现范畴（OLED,MicroLED etc.）助力客户进步良率、改善功能。
