第三代半导体工业技术创新战略联盟发布13项新规范开展，包含GaN HEMT、SiC单晶成长用等静压石墨及SiC MOSFET技术规范，旨在推进半导体职业技术进步与使用开展。

  近来，第三代半导体工业技术创新战略联盟（CASA）官方微信音讯，其规范化委员会（CASAS）发布了13项规范新开展，包含2项GaN HEMT动态导通电阻测验规范构成委员会草案、2项SiC单晶成长用等静压石墨规范征求意见、9项SiC MOSFET技术规范已完结征求意见稿的编制。

  2024年7月25日，由浙江大学、浙江大学杭州世界科创中心牵头起草的集体规范T/CASAS 34—202X《用于零电压软注册电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测验办法》、T/CASAS 35—202X《用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测验办法》已构成委员会草案，两项规范委员会草案依照CASAS规范拟定程序，重复酌量、修正、编制而成。起草组召开了屡次正式或非正式的专题研讨会，得到了许多CASAS正式成员的支撑。委员会草案已经由秘书处邮件发送至联盟常务理事及理事单位。

  T/CASAS 34—202X《用于零电压软注册电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测验办法》描绘了用于零电压软注册电路的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测验办法。适用于进行GaN HEMT的出产研制、特性表征、量产测验、可靠性点评及使用点评等作业场景。可使用于以下器材：a)GaN增强型和耗尽型分立电力电子器材；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品。

  T/CASAS 35—202X《用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测验办法》描绘了用于第三象限续流形式（包含硬关断和零电流关断）的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）电力电子动态导通电阻测验办法。适用于进行GaN HEMT的出产研制、特性表征、量产测验、可靠性点评及使用点评等作业场景。可使用于以下器材：a)GaN增强型分立电力电子器材；b)GaN集成功率电路；c)以上的晶圆级及封装级产品。

  由赛迈科先进资料股份有限公司牵头起草的规范T/CASAS 036—202X《碳化硅单晶成长用等静压石墨构件纯度测定辉光放电质谱法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅单晶成长用等静压石墨》已完结征求意见稿的编制，该项规范征求意见稿依照CASAS规范拟定程序，重复酌量、修正、编制而成，起草组召开了屡次正式或非正式的专题研讨会。依据联盟规范化作业管理办法，2024年7月25日起开端征求意见，截止日期2024年8月24日。征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位；非联盟成员单位如有需求，可发邮件至：

  T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器材开关动态测验办法》针对SiC MOSFET器材的开关动态特性，根据当时SiC半导体职业的市场需求，对SiC MOSFET器材进行特定测验电路下的脉冲测验，提案规则了测验所需求包含的设置条件、测验东西、测验项目和计量办法等，包含：1、总则、规范性引证文件；2、术语、界说、文字符号；3、电路构成和测验要求；4、操作办法和测验流程；5、计量办法和点评计划；6、其他安全需求留意的几点等技术性内容。