“咱们离‘圆梦’渐渐的接近了。”10月28日，武汉新城长飞先进武汉基地项目部，项目担任人看着炽热的建造现场兴奋不已。
上一年8月25日，武汉东湖高新区管委会与长飞先进签署第三代半导体功率器材研制出产基地项目协作协议。7天后，项目真实开端发动建造。
长飞先进武汉基地是武汉新城诞生的第一个项目，聚集第三代半导体功率器材研制与出产。
长飞光纤履行董事兼总裁、长飞先进董事长庄丹介绍，碳化硅是第三代化合物半导体的典型代表，凭仗耐高温、耐高压、高频化、低损耗等资料优势，能够大幅度进步器材的动力转化功率、削减能耗并下降体系本钱，将逐渐替代传统硅基器材从而成为未来功率器材的干流。
在他看来，第三代化合物半导体在新动力轿车、光伏储能、电力电网、轨道交通等范畴具有宽广的使用场景。“我国具有第三代化合物半导体的最大使用商场，开展第三代化合物半导体关于提高国际竞争力含义严重。”
长飞先进武汉基地总出资估计超越200亿元，其间项目一期总出资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。
在长飞先进武汉基地展厅内的墙上，5组数字有目共睹——2023年9月1日，破土动工；2024年6月，结构封顶；2025年1月，设备搬入；2025年7月，量产通线年年末，到达满产。
“咱们依照既定节点完成了破土动工和结构封顶，从项目建造进展来看，设备搬入和量产通线将大幅提早。”项目担任的人介绍，11月起设备就能进驻厂房，下一年年头开端调试，估计下一年5月能够量产通线，随后将敞开良率提高和产能爬坡。“从上一年9月打下第一根桩，到本年6月完成结构封顶，厂房建造耗时不到10个月，关于一个出资百亿级的超大型项目而言，速度很快。”
出资者对项目高度看好，资金继续注入，是保证项目拔节成长的首要的要素。上述担任人说：“我想我们心中都有一个梦，便是推进项目赶快建成，让我国自己研制制作的碳化硅芯片在商场上更有话语权。”
长飞先进第三代半导体功率器材研制出产基地项目之所以落户武汉新城，首要根据两点考虑：一方面光谷具有规划、制作、封装、测验等半导体全工业链条，老练的工业环境有利于长飞先进加快完成满产；二是光谷人才优势明显，利好半导体这种智力密集型职业开展。上一年开端，长飞先进在武汉招聘了数百名人才，他们现在在长飞先进芜湖基地的碳化硅产线上堆集作业经验。跟着出产设备搬入，部分工业人才将分批回到武汉，参加武汉基地设备调试、量产通线作业。
“现在全球碳化硅商场处于求过于供状况，长飞先进将继续加大研制投入力度，力求提前完成量产通线，将武汉基地打造成国际一流的碳化硅器材制作标杆工厂。”该担任人说。
