证券之星音讯，依据天眼查APP多个方面数据显现东微半导（688261）新取得一项发明专利授权，专利名为“IGBT器材”，专利申请号为CN0.4，授权日为2024年12月24日。
专利摘要：本发明归于半导体功率器材技术领域，具体公开了一种IGBT器材，n型半导体层内的若干个栅沟槽，坐落栅沟槽的下部内的屏蔽栅，坐落栅沟槽的上部内的栅极，栅极、屏蔽栅与n型半导体层之间相互绝缘阻隔；部分屏蔽栅外接栅极电压并界说为榜首屏蔽栅，剩下的屏蔽栅外接发射极电压并界说为第二屏蔽栅，榜首屏蔽栅与第二屏蔽栅替换距离设置；坐落n型半导体层内且介于相邻的栅沟槽之间的p型体区，p型体区包含榜首p型体区和第二p型体区两部分，榜首p型体区坐落接近相邻的榜首屏蔽栅的一侧，第二p型体区坐落接近相邻的第二屏蔽栅的一侧，榜首p型体区的掺杂浓度小于第二p型体区的掺杂浓度。
本年以来东微半导新取得专利授权1个，较去年同期减少了66.67%。结合公司2024年中报财务数据，本年上半年公司在研制方面投入了3878.39万元，同比减1.65%。
证券之星估值剖析提示东微半导盈余才能杰出，未来营收成长性一般。归纳基本面各维度看，股价合理。更多
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