2025年2月22日，金融界消息，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司与中芯国际集成电路制造（上海）有限公司联合申请了一项名为“半导体结构的形成方法”的专利。这项专利的公开号为CN119495583A，申请时间为2023年8月。该专利的核心在于通过特定的方法显著改善晶圆的翘曲度，这对于半导体制造业来说具备极其重大意义。
根据专利摘要，这一新方法具体包括以下步骤：首先提供晶圆，晶圆分为功能面和非功能面；接着在非功能面上形成第一应力膜层结构；随后，利用激光技术进行退火处理；退火后，经过测量晶圆的翘曲度来评估其状态；最后，如果晶圆发生翘曲，将根据其翘曲情况在非功能面进行离子注入，直到晶圆的翘曲度恢复到正常状态。这一系列的处理手段旨在大大降低或消除晶圆在制作的完整过程中可能遭遇的翘曲问题，进而提升半导体产品的良品率和性能。
晶圆翘曲是半导体生产中的一个棘手问题，严重时会影响芯片的最终性能和可靠性。随着半导体技术的加快速度进行发展，尤其是向更小尺寸和更高密度的集成电路迈进，翘曲问题变得愈发动人心弦。中芯国际的这一创新专利不仅反映了其在半导体制造技术上不断地进步的决心，更是行业内技术革新的一次有力展现。
中芯国际成立于2002年，总部在北京，注册资本达1亿美元。作为中国领先的半导体制造企业，中芯国际致力于计算机、通信及其他电子设备的生产制造。根据天眼查的数据分析，该公司在过去几年中参与了不少于49个招投标项目，并获取了超过5000项专利，显示了其在行业中的活跃度及技术实力。
除了技术创新，中芯国际还在持续扩展其市场占有率。随着全球对高性能半导体的需求日渐增长，这一专利的申请无疑将为公司的未来发展提供强有力的技术支撑。未来，能够有效控制晶圆翘曲度的生产的基本工艺，将使得中芯国际在激烈的市场之间的竞争中占据更有利的地位。
值得注意的是，半导体制造业的持续不断的发展，不仅促进了技术创新，更对整个电子产业链产生了深远影响。随只能设备及物联网的普及，需求将会持续上升。因此，有着先进的制造技术和创造新兴事物的能力将是掌握市场主导权的关键所在。
总的来说，中芯国际申请的这一新的半导体结构形成方法，标志着其在改善晶圆制作的完整过程中技术方法的慢慢的提升。这一专利的创新性将不仅仅停留于理论阶段，期待其在实际生产中的推广应用，能够给半导体行业带来更广阔的前景。同时，这也为其他从业者提供了一个借鉴，有望引发更多相关领域的技术革新和合作。中芯国际的持续突破，必将为中国半导体产业的发展注入新的活力。
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