12月6日，据中国台湾媒体《经济日报》报道，台积电已在新竹县的宝山工厂完成2nm制程晶圆的试生产工作。据悉，
值得一提的是，按照台积电董事长魏哲家曾在三季度法说会上的表态，2nm制程的市场需求巨大，客户订单未来可能会多于3nm制程。
从目前已知信息来看，台积电已规划了新竹、高雄两地的至少四座工厂用于2nm制程的生产，在满产状态下，四座工厂在2026年年初的2nm总产能将达12万片晶圆。
在三星工艺开发受挫，英特尔代工业务前途未卜的背景下，台积电在芯片代工行业中，已经取得压倒性优势。
它的特殊性在于，过去各家早已得心应手的“FinFET架构”在这个尺度下慢慢的开始失效，CMOS器件与生俱来的“短沟道效应”又一次被暴露出来。
这里需要补充一个知识点：我们常说的14nm、7nm工艺节点实际指的是晶体管导电沟道的长度（由于沟道长度不容易被观测，业界通常用更加直观且接近的栅极长度代指工艺节点）。
CMOS器件功能越复杂，晶体管的密度就会越大，这就必然需要沟道长度越来越小。可问题是，随着沟道长度的缩短，沟道管中的源极和漏极的距离也会慢慢的短，因此栅极很难再保证对沟道的控制能力，也代表着栅极电压夹断沟道的难度变大，即产生短沟道效应，从而出现严重的电流泄露。
为了解决这一个问题，华人科学家胡正明在1999年提出了“鳍式场效应晶体管”架构，也就是FinFET。在这个结构中，栅门被设计成了类似鱼鳍状的3D结构，能够让晶体管沟道长度减少的同时，大幅度减少电流泄露的问题。
FinFET架构的出现，让摩尔定律被续命将近20年，直到进入5nm工艺制程后，该架构也开始逐渐失效。
由此，GAAFET架构又被提出来。与前者相比，GAAFET架构相当于将栅极的鳍片旋转90，然后再在垂直方向上分成了多条鳍片，来增加其与沟道的接触面积。
因此，当台积电在开发3nm工艺制程时，并没有急于改用GAAFET架构，而是继续选择在FinFET结构上缝缝补补。应该说，台积电的技术依旧很过硬的，从苹果的A17芯片算起，过去两年所有使用台积电3nm工艺代工的芯片都没再次出现明显的发热或是高功耗的问题。
与此同时，由于FinFET工艺非常成熟，台积电所有从事3nm代工的产线%。
4nm工艺单片晶圆的价格为1.5万美元，3nm工艺单片晶圆的价格为1.85万美元。