第三代半导体迎来发展加速度氮化镓龙头英诺赛科荣耀加冕!
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第三代半导体迎来发展加速度氮化镓龙头英诺赛科荣耀加冕!

  • 产品概述

  今年以来,在新能源汽车、可再次生产的能源等快速地增长的市场需求推动下,第三代半导体产业的加快速度进行发展受到市场高度关注,以行业龙头英诺赛科为的氮化镓功率半导体产业,正迎来前所未有的发展机遇。

  近日,2024年度苏州市重大科学技术成果转化“揭榜挂帅”拟立项项目,苏州拟立项27项,位于吴江区的全球独角兽企业英诺赛科上榜;此外,英诺赛科凭借在氮化镓功率半导体领域的卓越表现和创新实力还入选了2024年江苏独角兽企业。

  据悉,作为全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司,目前英诺赛科已发展成为全世界功率半导体革命的者,亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。

  相关资料显示,英诺赛科成立于2017年,始终致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化,采用IDM全产业链模式,集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效于一体,建成全球首条8英寸硅基氮化镓外延与器件量产线,建有江苏省工程技术研究中心。

  按折算氮化镓分立器件出货量计,英诺赛科于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一,市占率为42.4%;截至2023年12月31日,公司累计出货量超过5亿颗。

  在AI技术的强劲推动下,第三代半导体产业正经历着前所未有的发展加速度,同时,SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)这两种材料也在AI领域中逐渐崭露头角,各国企业都在积极布,以期在未来的全球半导体产业竞争中占据有利地位。

  此次英诺赛科承担的苏州市重大科学技术成果转化“揭榜挂帅”项目为“面向数据中心高可靠8英寸硅基氮化镓芯片研发及产业化”,聚焦第三代化合物半导体领域,突破8英寸Si基GaN外延、CMOS兼容制程及量产、GaN器件可靠性测试等多项关键技术,为新一代大数据中心提供高效低能耗的解决方案,实现GaN高效绿色小体积服务器电源在数据中心的示范应用。

  市重大科学技术成果转化项目是苏州市为推动重大科技成果有效快速转化而推出的。项目聚焦新能源、新一代信息技术、高端装备、生物医药与医疗器械等产业领域,加快推进一批具有意义和引领作用的重大产品产业化,推动创新链产业链深层次地融合,加快发展新质生产力,为打造具有全球影响力的产业科学技术创新中心主承载区提供有力支撑。

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