台积电发布2nm先进制程:完结FinFET晶体管 功耗下降30%
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台积电发布2nm先进制程:完结FinFET晶体管 功耗下降30%

  6月17日早间音讯,台积电在今天举行的2022技能论坛上,首度推出下一代先进制程N2,也便是2nm。技能指标方面,台积电发表,N2相较于N3,在相同功耗下,速度块10~15%;相同速度下,功耗下降25~30%,敞开高效能新纪元。

  就纵向比照来看,2nm之于3nm的提高,好像不如3nm之于5nm,包含但不限于功能、功耗、密度等一切中心参数。

  在微观结构上,N2选用纳米片电晶体(Nanosheet),替代FinFET(鳍式场效应晶体管),外界共同以为,纳米片电晶体便是台积电版的GAAFET(盘绕栅极晶体管)。

  台积电还表明,N2不只有面向移动处理器的规范工艺,还会有针对高功能运算和小芯片(Chiplet)的整合计划。

  别的,依据台积电最新技能道路nm也会比较长命,后续还有N3E、N3P和N3X。

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