金融界 2024 年 9 月 10 日音讯，天眼查知识产权信息数据显现，上海集成电路研制中心有限公司请求一项名为“提高锗外延工艺质量的办法、器材中心结构及制造的进程“，公开号 CN7.5，请求日期为 2023 年 3 月。
专利摘要显现，本发明公开了一种提高锗外延工艺质量的办法、器材中心结构及制造的进程，器材中心结构包含：设于半导体层外表上的顶层介质层，和设于顶层介质层外表上且底面坐落半导体层外表下方的过渡外延窗口，其包含坐落顶层介质层中的榜首窗口部，和对应坐落半导体层中的第二窗口部，第二窗口部的第二横向尺度大于榜首窗口部的榜首横向尺度，构成内嵌空腔结构；第二横向尺度与榜首横向尺度之间差值，与后续进行外延前处理工艺时对榜首窗口部侧壁构成的过刻蚀量对应，以在过渡外延窗口基础上进一步构成满意使榜首横向尺度与第二横向尺度趋于共同要求的终究外延窗口。本发明能有用减小锗外延缺点与位错密度，由此能减小光电探测器暗电流，提高硅光芯片功能。
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